不得了，苏州又杀出一个超级独角兽，估值超235亿（E轮融资）。最近，英诺赛科冲刺IPO，向香港交易所提出上市申请。

创始人叫骆薇薇博士，于2015年创业。

彼时，她在美国宇航局（NASA）任职15年，看到国内第三代半导体崛起后，毅然决定回国创业。

第三代半导体，正是骆薇薇的创业关键词。它的核心材料之一，就是氮化镓。

别小瞧这个略带晦涩的名词，在高频、高电压、高效率等性能上，它的优势明显，可广泛应用于新能源车、光伏、风电、5G等领域。

比如在更高的电压下，可以用更小的电流来传输电能，从而提高能量转换效率。在新能源汽车上，氮化镓半导体随处可见，比如车载充电器、电机驱动与控制系统等。

值得关注的是，这是一个妥妥的“中国领先世界”的行业。在该领域，英诺赛科创造了多个全球第一纪录。

1、全球氮化镓功率半导体市场排名第一，并且是遥遥领先。

据弗若斯特沙利文资料显示，按收入计算，英诺赛科2023年收入在同类公司中排名第一，市场份额约33.7%。据招股书显示，第二至第五名的份额分别为19.8%、10.6%、10.5%、7.2%。

2、建成全球最大的氮化镓功率半导体生产基地：每月产能约10000片晶圆。

3、全球首家量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司。

产业兴起初期，6英寸是主流产品，但它的劣势明显。比如产量更低，相比8英寸晶圆，6英寸晶圆的芯片数量少了近1/2；再比如良品率，8英寸晶圆的良率可达95%。